Diody Si-1 a Si-2 jsou křemíkové diody s dlouhou bází ( LBSD - Long Base Silicon Diode ), vyvinuté za účelem měření kermy od těžkých částic, především rychlých neutronů. Pro měření kermy se využívá změny doby života minoritních nositelů náboje v důsledku poškození krystalové mřížky křemíku ozářením. Kvůli obtížnosti měření doby života se měří úbytek napětí na diodě v propustném směru. Změna tohoto napětí D U tj. rozdíl mezi napětím po ozáření a počátečním napětí U0 je vzata jako míra radiačního poškození, která je přibližně lineární funkcí kermy od rychlých neutronů. Oba typy mají velmi malou citlivost k fotonům gama a tak mohou být použity pro měření ve směsných polích gama - neutrony. Diody Si-1 a Si-2 se liší v technické specifikaci, typ Si-2 je citlivější a je použitelný v osobní dozimetrii.
Podrobnější informace viz. Katalog